注：このブログの内容は信頼できないがこのエントリは特に信頼できない。
トランジスタのバイアス決定とバイアス回路の抵抗値決定方法。回路は固定バイアス、自己バイアス、電流帰還バイアスと3つ方法があるが今考えてるのは電流帰還バイアス回路。ここの右の図とかここの右の図とか。
1) 特性曲線Vce-Icをぐっとにらんで目標とするIc=Ie(ベース電流は小さいとしてIc≒Ie), Vce, Ibを決める。
こちらの12ページ。Ibにより複数の特性曲線Vce-Ic、RcとVccによって決まる負荷直線、この2つからIbとIcが比例している部分の真ん中くらいを選ぶ。Rcの選び方がわからないがやっぱり特性曲線を見て選ぶ？
2) 等価回路、というかBC間、BE間のダイオードの性質を用いてVb目標値を決める
- 性質1: Ie = Ve + 0.6
- 性質2: BからCは電流が流れないのでBの電圧決定のための回路を考えているときはB-Cは断線してるものとして無視
- ReとIc=Ie目標値からVeが求まる。VbはVe+0.6で求まる。Rb1, ベース電流が小さいと仮定して無視し、抵抗分圧でVeになるようRb1, Rb2の比を決める。比でなく絶対値の方は、ベース電流を無視できるようベース電流よりの10-20倍の電流が抵抗に流れるように適当に決める。
- 2)ではバイアスを考えてるので直流成分のみを考える。コンデンサは無視、断線してるものと考える。
追記：こちらの解説 バイアス回路の実際 読んでて、これベース電圧決める抵抗値のことだけだとばっかり思ってたけど、このやり方ベース電流コントロールしてないよね、と思って読み返したらものすごく大事なこと書いてあるの見落としてたのに気づいた。
以上はエミッタ接地回路の場合ですが、どんな形式でも hFEを適当に大きいものを使っていれば、ベース電流を無視して設計して 大体のところはオーケーです。
ベース電流が最適になるよう勝手に決まるということか。ほえっ？なんか理解してないからくりがあるぞ・・・→いろいろ考えた。
